@dolaoseb: 今日，经过7年的低调研发，我，@emeskey及我们的联合创始人自豪地宣布@keplercompute。世界更加……

X AI KOLs Following 2026/09/09 19:58 产品

ai-memory chip-manufacturing startup compute hardware 3d-chip-stacking euv-free

摘要

Kepler Compute在低调7年后宣布启动，融资4.68亿美元，致力于开发先进AI存储芯片，旨在通过绕过EUV光刻技术和利用3D创新，实现更高带宽和容量，以打破计算资源稀缺的局面。

今日，经过7年的低调研发，我，@emeskey及我们的联合创始人自豪地宣布@keplercompute。当我们将权力和智慧赋予人民时，世界会变得更加美好。当每个人都能将人类创造力与我们卓越计算机指数增长的智慧相结合时，就能成为最好的自己。我们的目标是通过将存储和逻辑芯片制造推向物理极限，为每个人解锁前沿智能的力量。为此，我们将推动世界从计算资源稀缺走向丰富，在这里我们可以每美元生产数量级更多的芯片，并将数据中心能耗降低到物理极限。我们将利用物理定律来确保我们有足够的芯片，并能为它们供电。为什么计算资源稀缺？当今主流方法——使用EUV缩小晶体管——遇到了需要数年才能建成的200亿至400亿美元的晶圆厂。鉴于这一风险，行业（非常理性地！）资本支出的增长速度远低于AI需求——AI需求一年内可增长10倍。在当前系统中，稀缺性是内在的。另一种方式是可能的。我们基于以下信念创立了Kepler： 1. 不依赖EUV构建领先芯片是可能的 2. 通过将芯片从2D硅演进到3D超越硅，实现每瓦特多个数量级的智能提升是可能的 3. 在保持主流数字计算的同时，比当前更接近计算的物理极限是可能的存储是AI计算的最大约束，因此我们从AI存储的新前沿入手——接近SRAM的每瓦特带宽，容量提升至HBM的10倍以上。我们利用3D和材料创新，实现跨越领先节点，同时无需EUV光刻技术，并能使用现有晶圆厂。我们的团队共同领导了业界首批3D芯片堆叠技术之一，主导并扩展了七代DRAM和多种逻辑设计，应用于数十亿芯片。我们构建了逻辑设计行业核心的全球首个商用物理综合工具和技术，解决了铁电体中的长期挑战，发明了超越CMOS的逻辑器件。我们希望与您合作，在美国重新发明芯片制造。我们已融资4.68亿美元，建立了自己的晶圆厂，AI存储芯片今年将提供样品，明年投入生产。我们已为2027年做好规划，并将于2028年在美国扩大规模。我们开放业务合作，请联系我们携手共进。我们也在壮大Keplerian团队，期待与您共事。了解更多 @ Kepler: https://keplercompute.com 在@WIRED阅读我们的故事: https://wired.com/story/a-new-dollar400-million-startup-wants-to-fix-the-ai-memory-bottleneck/…

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缓存时间: 2026/09/10 06:22

今天，在隐秘研发七年后，我，@emeskey 以及我们的联合创始人，自豪地宣布推出 @keplercompute。

当我们将力量与智慧赋予人民，世界将变得更美好。当每个人都能通过将人类创造力与我们宏伟计算机呈指数级增长的智能相结合，成为最好的自己。

我们的目标是通过将内存与逻辑芯片制造推向物理极限，为每个人释放前沿智能的力量。

为此，我们将推动世界从计算稀缺走向富足，实现每美元制造芯片数量提升数个数量级，并将数据中心能耗降至物理极限。我们将运用物理规律确保芯片供应充足，并为它们提供稳定供电。

为何计算能力如此稀缺？当今主流方案——使用EUV缩小晶体管——已面临单座造价200亿至400亿美元、建设耗时数年的工厂。面对这种风险，业界（非常理性地！）资本支出的增长速度远低于可能年增十倍的AI需求。

在当前体系中，匮乏是与生俱来的。

但另辟蹊径是可能的。

我们基于以下信念创立了Kepler：

不依赖EUV也能打造领先芯片
通过将芯片从二维硅演进至三维超硅，可实现每瓦智能提升多个数量级
在主流数字计算范畴内，我们能够比现今更接近计算的物理极限

内存是AI计算最大的约束瓶颈，因此我们从AI内存的新前沿切入——逼近SRAM的每瓦带宽，容量提升至HBM的10倍以上。我们采用三维与材料创新，实现超越领先制程的跨越，既无需EUV光刻，又能利用现有工厂设施。

我们的团队曾联合主导业界首批3D芯片堆叠技术之一，领导并规模化了七代DRAM及多款逻辑设计，累计产出数十亿颗芯片。我们构建了全球首个商用物理综合工具及技术，奠定了逻辑设计行业的基石，解决了铁电材料领域的长期难题，并开创了超越CMOS的逻辑器件。我们期待与您携手在美国重塑芯片制造业。

我们已完成4.68亿美元融资，建成自有工厂，AI内存产品将于今年送样，明年投产。2027年产能已全部预定，2028年将在美国启动规模化生产。

我们已开放合作，诚邀您洽谈协作。我们也正在壮大Keplerian团队，热切期盼您的加入。

了解更多请访问 Kepler官网：https://keplercompute.com 阅读@WIRED报道：https://wired.com/story/a-new-dollar400-million-startup-wants-to-fix-the-ai-memory-bottleneck/…

Kepler — AI的新型内存

来源：https://keplercompute.com/

AI的新型内存.

超越HBM与SRAM的领先内存.

2026年送样. 2027年量产.

带宽、容量与能效的新前沿

关于我们

我们的团队贯穿计算全栈，创造了诸多业界首创。我们领导并规模化了跨越主流晶体管、3D逻辑堆叠、七代DRAM、首款上市232层NAND及移动SoC的技术开发，累计产出数十亿颗芯片。我们构建了全球首个商用物理综合工具，开发了行业基础EDA技术，解决了铁电材料及超越CMOS器件与存储器的长期难题。

我们的理念

另辟蹊径是可能的.

不依赖EUV的领先芯片

不依赖EUV也能打造领先芯片

每瓦计算能力数量级提升

通过将芯片从二维硅演进至三维超硅，实现每瓦智能提升多个数量级

主流数字计算.

在主流数字计算范畴内，能够比现今更接近计算的物理极限

我们提供什么

为高吞吐量、高交互性推理打造的AI内存.

Kepler内存旨在逼近SRAM的每瓦带宽，并超越SRAM与HBM的容量。为下一代推理开启吞吐量与交互性的新前沿

每瓦带宽逼近SRAM.
容量超越SRAM与HBM.
源自三维与材料创新

从硅到量产

年底前送样. 2027年投产.

我们正在规划2028-2030年的产能分配.

Kepler内存晶圆特写俯视图Kepler内存晶圆俯视图

Kepler五位联合创始人来自存储器、制造、器件与系统领域的杰出建造者

01/02

Sasi Manipatruni肖像照

Sasi Manipatruni

联合创始人兼首席技术官

创立英特尔FEINMAN下一代逻辑中心，共同发明MESO——基于自旋的超越CMOS候选逻辑器件。首次实现50 Gb/s硅微环调制器。

Rajeev Dokania肖像照

Rajeev Dokania

联合创始人、首席技术官（设计与硬件）、首席工程官

联合定义英特尔Foveros 3D堆叠技术，构建的高速电路已应用于大量CPU产品

Amrita Mathuriya肖像照

Amrita Mathuriya

联合创始人、首席技术官（软件与架构）

创建并规模化CosmoFlow，开发了应用于英特尔14nm工艺的计算光刻软件。

Ramesh Ramamoorthy肖像照

Ramesh Ramamoorthy

联合创始人兼首席科学家

解决了铁电材料疲劳等长期难题，发现了用于低能耗计算的新型多铁器件

Debo Olaosebikan肖像照

Debo Olaosebikan

联合创始人兼首席执行官

联合创立Gigster。在康奈尔大学攻读物理学博士期间，构建硅激光器的研究中展示了受激辐射现象。研究自旋电子学中磁畴壁运动的理论物理。

Lars Heineck肖像照

Lars Heineck

存储器业务负责人

将七代DRAM规模化至百万片晶圆，并助力首款上市232层NAND实现量产。

Noriyuki Sato肖像照

Noriyuki Sato

工艺集成专家

首个FinFET集成SRAM替代铁电材料的实践者，领导了全新专用300毫米工厂从零启动到产出电气数据的六个月产能爬坡。

Sagar Suthram肖像照

Sagar Suthram

先进封装专家

世界首个FinFET技术的关键贡献者（荣获英特尔成就奖）。英特尔高产量制造中精密电阻技术的主要发明人。

Mauricio Manfrini肖像照

Mauricio Manfrini

模组专家

领导开发并集成全球首个300毫米磁性存储与逻辑平台。

Antun Domic肖像照

Antun Domic

产品与知识产权专家

构建了全球首个商用物理综合工具，助力新思科技确立从综合到自动布局的领导地位。荣获2019年罗伯特·诺伊斯奖章。

制造领导者· sram · DRAM · 逻辑

每座工厂的智能密度.

Kepler运用三维结构与新材料的物理特性，打造超越纯EUV方案的领先逻辑与存储系统。实现每工厂产出更高智能，每美元支持更多工厂。

存储器先行。继而重塑晶体管。