中国芯片利用单电子存储数据，打破AI内存瓶颈

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摘要

复旦大学研究人员开发出一种二维闪存芯片，利用单电子存储数据，实现了电压提升十倍，有望在移动设备上实现高效AI。

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缓存时间: 2026/07/24 05:22

# 中国芯片以单电子存储数据，突破人工智能内存瓶颈 来源：https://www.scmp.com/news/china/science/article/3361580/chinas-new-chip-stores-data-single-electron-breaking-ai-memory-bottleneck 存储一个比特的信息需要多少个电子？ 对于三星和SK海力士目前最先进的动态随机存取存储器（DRAM）芯片而言，答案大约是20万个。 这是可靠性的代价——需要庞大的电荷储备来确保“1”或“0”不会湮没在噪声中。 但复旦大学的一个团队刚刚将这个数字压缩到了理论极限：一个。 在7月16日发表于《科学》杂志的一篇论文中，微电子学教授周鹏及其同事详细描述了一种能在室温下捕获并读取单个电子的二维（2D）闪存——这一成果长期以来被视为半导体领域的圣杯（https://www.scmp.com/topics/semiconductors?gad_source=1&gad_campaignid=23561166950&gbraid=0AAAAADltBQC8ecg0S7zfucskPK0lC2iQD&gclid=Cj0KCQjw94bTBhDQARIsAN3vv0y4uscE5rzQsgEI3iZXjPlaAglMTIX-BI_BazBfdWKJ4MLSpdnlBkEaAs-cEALw_wcB?module=inline&pgtype=article）。 这款名为“归一”的器件，将来自仅几十毫伏的微弱易逝信号提升至稳健的0.5伏，比以往任何单电子尝试提升了十倍。 对于大众而言，这项技术最直接的影响是，它使得在手机上以极低功耗运行大型语言模型成为可能，而不会在对话过程中出现人工智能（AI）（https://www.scmp.com/topics/artificial-intelligence?module=inline&pgtype=article）“失忆”的情况。

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