Intel 暗示可能重返内存业务
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Intel CEO Lip-Bu Tan 暗示公司可能重返内存业务,提到创新机遇以及内存与CPU堆叠的兴趣。
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缓存时间: 2026/09/01 17:54
# 英特尔首席执行官暗示重返存储业务——称市场已迎创新良机,并探讨内存与CPU堆叠技术
来源:https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/intel-ceo-hints-at-return-to-the-memory-business-says-market-is-ripe-for-innovation-hints-at-stacking-memory-and-cpu
陈立武在Computex上(图片来源:Getty / Cheng Chia Huang)
英特尔首席执行官陈立武透露,在谈论美国芯片产业复兴时指出,曾被视为普通商品业务的新型内存架构现已具备战略吸引力,并成为他关注的重点项目之一。他进一步表示,存储行业已迎来创新契机,并暗示正在探索将内存堆叠于CPU之上的可能性。
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经历多年商品化阶段后,存储在近几个季度已成为战略资产,且这种状态很可能持续一段时间。因此,领先的3D NAND与DRAM制造商突然成为高盈利企业,这一点英特尔首席执行官有着深刻认识:“我过去总认为‘不应投资存储业务,因为它属于商品化领域’,但现在情况已不同,”陈立武表示。“……大量新兴技术不断涌现。因此,我们正关注我个人重点推进的项目——部分新型存储架构。我想您已注意到相关消息:我聘请了曾执掌SK海力士的好友李锡熙。由此您或许能推测我的思考方向。目前我们尚未准备好公开具体内容。”
陈立武未透露该项目的具体信息,甚至未说明这是否属于他在英特尔亲自推动的战略举措,或是其投资企业中的某个项目。但他确实提及,在CPU上堆叠内存可能极具价值,不过未展开详述。其言论也呼应了近期曝光的英特尔XBM专利——该技术摒弃了HBM所需的硅中介层(相关链接:https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/intel-patent-reveals-new-xbm-memory-architecture-that-ditches-hbms-costly-silicon-interposer-backend-transistor-dram-stack-uses-ucie-links-and-built-in-repair-to-ease-ais-memory-bottleneck)。
“我认为CPU与内存之间存在多种堆叠整合的可能性,”陈立武指出,“同时也在探索存储的新型架构。在我看来,当前存储领域的创新尚有巨大空间,这是个极具潜力的方向。”
业内或许已鲜有人记得,英特尔于1968年作为存储企业创立,并在上世纪八十年代前始终是成功的存储制造商,后因日本企业崛起及自身巨额亏损被迫完全退出该市场。此后公司曾试图通过NAND与Optane重返存储市场,或借RDRAM等新型存储技术寻求机遇,但这三次尝试均在未造成重大损失的情况下终止了相关业务。
鉴于当前3D NAND与DRAM厂商的盈利状况,生产存储再次成为优质业务,且短期内仍将保持利润。然而,像英特尔这样的企业若想重新进入该领域,至少需要资金建造晶圆厂、研发具有竞争力的工艺技术,并投入时间。尽管技术授权(假设企业拥有资本)是一种选择,但鉴于公司当前正专注于核心产品与代工业务,我们强烈怀疑英特尔此刻是否有意愿将资本投入存储而非其核心业务。此外,考虑到公司在代工市场竞争艰难,且在未达成战略目标后已退出3D NAND与3DXPoint/Optane业务,投资者对此类投资的反应仍不明朗。
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Anton Shilov是Tom’s Hardware特约撰稿人。过去数十年间,其报道涵盖从CPU、GPU到超级计算机,从现代工艺技术、前沿晶圆设备到高科技行业趋势等广泛领域。
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