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据 TrendForce 报道，随着 NVIDIA 开始向 Rubin 过渡，高端 GPU 的交付周期延长了 5 周，达到 45 周，超大规模云服务商的供货优先级高于企业买家。DRAM 以及基板、电容器等组件的供应瓶颈，可能拖慢 Rubin 的产能爬坡。
Sam Altman 说 DRAM 厂商虽将进入每年约 1000 亿美元自由现金流的时代，但因过去多次濒临破产的记忆而不敢激进扩产，导致芯片供应链的'看不见的手'失灵，内存短缺无法自我修正。他同时谈到 OpenAI 垂直整合芯片、数据中心与机器人，以及数据中心成本与个人 AI 智能体的前景。
Sam Altman 认为，在资源紧缺的环境下，本地推理是一种低效的资源配置：让每个人在电脑里配备大量稀缺 DRAM 却只使用约 5% 的时间，远不如让云端资源保持高利用率。
Sam Altman 认为，在本地运行 AI 模型是对全球稀缺 DRAM 资源的低效利用，而基于云端、高利用率的数据中心才是更好的配置方式。帖子末尾附带了一段持怀疑态度的 TL;DR，将这番言论定性为租赁优于拥有的厂商话术。
据报道，美光正放弃其4F² DRAM存储单元架构，而竞争对手仍在推进这项技术，这标志着其存储芯片战略的一次重大转变。
Samsung 已签署一份为期五年的巨额协议，将其 70% 的 DRAM 供应量和 100% 的 2027 年 HBM 产能预留给了大型科技公司，HBM 价格预计将上涨 150–200%，DRAM 价格将出现两位数涨幅，这可能会推高 GPU 和设备成本。
长鑫存储（CXMT）宣称在4F² DRAM定价上取得突破，引发三星、美光等海外存储厂商股价下跌，但长鑫自身股价近期反而走低，引发市场质疑。
埃隆·马斯克预言中国到2028年将大量生产随机存取存储器（RAM），并援引韩国财经专栏的警告：新产能上线后，内存可能在2029年出现供过于求的情况，韩国仅有2—3年时间发展新的增长产业。
Micron 和 Samsung 高管表示，受 AI 对 HBM 和服务器 DRAM 需求激增的推动，内存短缺将持续至2028年，产能将优先供应 AI 而非消费级设备。
三星电子预计明年将使其HBM4和HBM4E DRAM芯片的产量翻一番以上，玻璃载体需求将增长2.5倍，这表明为响应AI和计算需求，高带宽内存生产将大幅增长。
三星在 Hot Chips 2026 上展示了具有集成计算单元的 16 GB LPDDR5X 内存包，提供 614 GB/s 内部带宽，通过克服内存带宽限制显著提升 AI 推理性能。
在Hot Chips 2026上，三星展示了在将HBM基板芯片升级至逻辑节点后，利用其闲置区域的机遇，包括集成存储器控制器以优化PHY面积和功耗等阶段。
文章分析中国存储产业在4F² DRAM和Xtacking等下一代架构上的进展，认为长鑫、长江存储已从追赶者转变为新架构的积极参与者，但在HBM、先进封装和高端客户认证上仍与韩国厂商存在差距。
据报道，三星、SK海力士和美光已将所有2027年DRAM和HBM产能售罄给AI公司，加剧了内存短缺，并推高了内存、固态硬盘和游戏主机的消费价格。
该学术论文弥合了DRAM读干扰现象（RowHammer和RowPress）的实验表征与器件级建模之间的鸿沟，利用TCAD仿真阐释了比特翻转方向、翻转次数及最小攻击行激活数，对缓解技术具有指导意义。
SK海力士是英伟达AI加速器内存芯片的主要供应商，其美国IPO取得了成功，开盘价为每股170美元，估值达到1万亿美元，原因是人工智能数据中心建设推动了对DRAM和HBM的激增需求。
AI基础设施投资正在推高内存（DRAM、NAND）需求，导致价格大幅上涨。瑞银预测第三季度和第四季度DRAM和NAND价格上涨，DRAM市场预计至少到2028年仍将供不应求。
一项新诉讼指控三星、SK海力士和美光合谋操纵DRAM价格，可能对AI对内存芯片的需求产生影响。