SK海力士与SanDisk合作推出全新高带宽闪存（HBF）标准，助力解决AI推理瓶颈，目标带宽高达3TB/s

# SK hynix 携手 SanDisk 推出全新高带宽闪存 (HBF) 标准，助力解决 AI 推理瓶颈，目标带宽高达 3TB/s 来源：https://wccftech.com/sk-hynix-sandisk-high-bandwidth-flash-hbf-standard-3tbs/ 随着 AI 加速器在高带宽内存 (HBM) 与 SSD 之间面临严重的性能差距，SK hynix 和 SanDisk 共同推出了一种解决方案，旨在通过一项名为高带宽闪存 (HBF) 的新标准来弥合这一性能鸿沟。两家内存制造商旨在创建一个生态，让各类企业能够开发兼容产品。 ## HBF 规范允许以 8 层或 16 层堆叠 NAND 裸片，单配置容量最高达 512GB 简而言之，HBF 具有介于 HBM 和企业级 SSD 之间的定位属性。与 HBM 类似，HBF 依赖于多个堆叠在一起的内存裸片，但不同的是，它采用 NAND 闪存而非 DRAM 来提升存储容量。其主要角色将是补充容量限制，而非彻底取代 HBM。LLM 可以通过 HBM 处理，这属于计算即时所需，而 HBF 则以更大容量存储数据。 SK hynix 和 SanDisk 的最新规范使 HBF 容量可高达 512GB，带宽范围从 0.4TB/s 到 3TB/s。要理解该技术如何提升 AI 推理性能，假设有一个拥有 5000 亿参数的 AI 模型，而每 GB 可容纳 10 亿参数，那么总容量将达到 500GB。由于将整个模型存储在 HBM 中并不划算，企业可以利用 HBF 来存储这些 AI 模型。 高带宽闪存还支持 UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）规范，使 HBF 能够连接各种 CPU 和 GPU，从而引入完整的灵活性层。SK hynix 解决方案开发主管 Kim Chun-sung 表示，公司“将拓展内存与存储之间的界限，并致力于构建新架构以提升整体系统效率。” 在 SK hynix 和 SanDisk 努力推广 HBF 标准之际，三星已通过开发和量产 CMX 解决方案，与 NVIDIA 等公司建立了良好的合作关系。通过制造其 [V10 和 V11 NAND 闪存](https://wccftech.com/nvidia-ai-gpus-face-data-bottleneck-will-require-samsung-v10-nand-for-cmx-storage/)，其堆叠层数最高可达 500 层，这家韩国巨头将瞄准 AI 服务器的超高速存储需求，让服务器能够快速访问数据以增强 GPU 卸载能力，从而实现更好的 AI 推理。 哪项标准将加快步伐？看来我们将在未来几个月内见分晓。 新闻来源：SK hynix (https://news.skhynix.com/en/hbf-at-fms-2026/) Omar Sohail 照片 (https://wccftech.com/author/omarsohail/) **关于作者 (https://wccftech.com/author/omarsohail/)：** Omar Sohail 是 Wccftech [移动](https://wccftech.com/topic/gadgets/) 板块的记者和分析师，专注于移动行业的技术与商业。他的专长在于复杂的硬件供应链，涵盖半导体制造、芯片光刻和相机传感器技术的发展。 在 Google 上关注 Wccftech (https://profile.google.com/cp/Cg0vZy8xMWM3NDB2MmIyGgA)，在您的订阅源中获取更多我们的新闻报道。