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由于英伟达GPU对HBM的AI需求旺盛，存储行业正经历超级周期，供应短缺预计将持续。尽管存在周期性波动，存储制造商仍有望实现高额利润。
Apple的2027年iPhone预计采用移动高带宽内存（HBM）和硅通孔（TSV）技术，以提升AI性能，使得大型语言模型能够本地运行，具有更高的效率和更紧凑的设计。
SK hynix正在印第安纳州建设其首个高带宽存储器（HBM）封装基地，投资40亿美元，获得美国政府根据CHIPS法案的资金支持，计划于2028-2029年开始运营。
在Hot Chips 2026上，三星展示了在将HBM基板芯片升级至逻辑节点后，利用其闲置区域的机遇，包括集成存储器控制器以优化PHY面积和功耗等阶段。
本文分析了HBM内存成本上升如何影响NVIDIA的AI服务器定价和毛利率，暗示客户可能需要承担如Vera Rubin和Grace Blackwell等即将推出系统的额外成本。
一次讨论强调了tHBM技术中显著的供电问题，需要传输数千安培的电流，并批评了三星的zHBM可能因在热GPU上堆叠内存而导致的熔化问题，如HBM创造者Kim Jung-ho所揭示。
本文解释了如何通过分析从HBM获取的每字节操作数来确定GPU工作负载是计算受限还是内存受限，以NVIDIA的H100为例，并讨论了批处理和提示长度如何影响性能。
据报道，由于HBM供应紧张，英伟达正在测试其即将推出的Rubin Ultra加速器的低内存版本，包括192 GB或256 GB的配置，并从HBM4E切换至HBM4。
据报道，三星、SK海力士和美光已将所有2027年DRAM和HBM产能售罄给AI公司，加剧了内存短缺，并推高了内存、固态硬盘和游戏主机的消费价格。
SK海力士与SanDisk发布了高带宽闪存（HBF）标准，以弥合HBM内存与SSD之间的性能差距，目标带宽高达3TB/s，容量512GB，以加速AI推理。
英伟达的 DGX GB300 系统，单机架配备 20 TB 的 HBM 和约 2 英里长的铜缆，展现了巅峰工业文明，将智能转化为制造业问题。
SK海力士是英伟达AI加速器内存芯片的主要供应商，其美国IPO取得了成功，开盘价为每股170美元，估值达到1万亿美元，原因是人工智能数据中心建设推动了对DRAM和HBM的激增需求。
SK Hynix筹集265亿美元，完成美国历史上最大的外国IPO，得益于其用于AI GPU的HBM内存芯片需求。美国商务部长敦促该公司在美国新建制造工厂，以减少对韩国生产的依赖。
揭露NVIDIA DGX Station宣传的748GB统一内存中实际只有252GB高速HBM可用，其余496GB慢速LPDDR5X在大模型推理中基本无用，体现了NVIDIA精准的产品差异化策略。
本文梳理了7月多家科技公司财报中AI产业链的关键看点，包括存储、设备、代工、AI芯片和云服务的需求趋势，强调台积电作为AI供应链的核心位置。
美光云内存产品副总裁兼总经理探讨了人工智能需求如何推动内存超级周期，HBM、LPDDR6和PCIe Gen 6 SSD等技术对数据中心架构变得至关重要。
以三星和SK海力士为首的韩国科技巨头已承诺投资超过9000亿美元，建设四座新的内存晶圆厂、一个HBM封装中心以及AI数据中心，以应对全球内存芯片短缺（‘RAMageddon’）并加强该国AI产业。
一个交互式数据集，追踪1960年至2026年的内存和存储价格历史，涵盖DRAM、NAND闪存和HBM，方法论和来源来自斯坦福大学及行业分析师。
Micron股价飙升超过236%，因为AI对HBM等存储芯片的需求造成供应紧张。华尔街认为Micron可能是下一个Nvidia，其营收翻了两番，长期协议巩固了其地位。