@rohanpaul_ai: 美国获得SK hynix首个HBM封装基地于印第安纳州，价值40亿美元的存储中心。该印第安纳州基地将接收韩国…

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摘要

SK hynix正在印第安纳州建设其首个高带宽存储器（HBM）封装基地，投资40亿美元，获得美国政府根据CHIPS法案的资金支持，计划于2028-2029年开始运营。

美国获得SK hynix首个HBM封装基地于印第安纳州，价值40亿美元的存储中心 该印第安纳州基地将接收韩国制造的晶圆，进行封装和测试，然后将成品HBM运送给美国客户。 一个占地133.5英亩的场地，将成为SK Hynix在美国的首个高带宽存储器封装基地。其洁净室预计于2028年10月开放，下一代HBM的大规模生产计划于2029年下半年开始。 华盛顿政府通过CHIPS法案提供高达4.58亿美元的赠款和5亿美元的贷款来支持这一建设。
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缓存时间: 2026/08/28 17:43

美国获SK海力士首个HBM封装基地落户印第安纳州，将打造40亿美元存储芯片制造中心

该基地将接收韩国制造的晶圆，完成封装测试后向美国客户交付成品高带宽存储芯片。占地133.5英亩的厂区将成为SK海力士在美首座高带宽存储芯片封装基地，其无尘室预计于2028年10月投入使用，次世代HBM量产计划于2029年下半年启动。

华盛顿政府依据《芯片与科学法案》提供最高4.58亿美元拨款及5亿美元贷款支持该项目建设。

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