金刚石晶体管

# 金刚石晶体管 | Diamond Foundry 来源：https://www.df.com/diamond-transistor ## 表面转移掺杂 我们的全金刚石晶体管采用表面转移掺杂技术，在不向体晶体中引入替代性掺杂原子的情况下诱导载流子。 Diamond 在 IEEE 上的论文：On the Conduction Mechanism in Diamond 2-Dimensional Hole Gas Field Effect Transistors (https://ieeexplore.ieee.org/document/11569502) 当单晶金刚石晶圆表面以氢原子层终止时，其电子亲和能变为负值，使电子能够从金刚石价带转移到表面的合适受体物种（通常为吸附物或人工设计的表面层）上。这种电荷转移会在表面几纳米范围内留下高密度的二维空穴气（2DHG），从而产生 p 型导电性，同时保持金刚石体材料固有的纯度、热导率和击穿强度。由于无需离子注入或晶格替代，表面转移掺杂避免了传统掺杂方式带来的缺陷产生和载流子散射，使其在高功率、高频和抗辐射电子器件平台上尤为具有吸引力。