transistor

半导体模拟器提供晶体管运行的动画可视化，展示了BJT和MOSFET中电子和空穴的运动、扩散、漂移以及电流/电压探针。

本文描述一种反直觉的振荡器电路，使用无基极连接的反向NPN晶体管，通过反向雪崩击穿工作。

一位爱好者描述了如何使用硫化镉光电池、胶带和水作为绝缘栅极来制作自制场效应晶体管，并在黑暗环境中演示了晶体管的放大作用。

三星在2026年VLSI研讨会上展示了首款具有三重纳米片沟道的3D堆叠FET，栅极间距为42nm，获得高度评价，突显了用于先进逻辑缩放的新型垂直晶体管架构。

浦项科技大学（POSTECH）的研究人员开发出一种氧化锌-碲晶体管，该器件能在单个设备中执行多种电路功能，将晶体管需求降低75%，处理速度提升四倍，在紧凑型AI硬件和可穿戴电子设备中具有潜在应用。