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Micron正在探索近GPU NAND闪存技术，以启用运行更大的大语言模型，可能提高AI性能和可扩展性。
本文讨论了存储市场的一场无声危机，由于生产转向AI数据中心，NAND闪存价格飙升，导致消费电子产品供应短缺和价格上涨。
SK海力士与SanDisk发布了高带宽闪存（HBF）标准，以弥合HBM内存与SSD之间的性能差距，目标带宽高达3TB/s，容量512GB，以加速AI推理。
IEEE Spectrum报道了高带宽闪存（HBF），这是一种新型内存技术，通过使用高带宽内存（HBM）封装技术堆叠NAND闪存芯片，大幅提升读取带宽，实现对LLM模型权重的高效存储。首批产品预计约一年内推出。
一个交互式数据集，追踪1960年至2026年的内存和存储价格历史，涵盖DRAM、NAND闪存和HBM，方法论和来源来自斯坦福大学及行业分析师。