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本文用产业链思维深度分析了HBM(高带宽内存)的关键技术、核心厂商(SK海力士、三星、美光)以及先进封装工艺(CoWoS、CoPoS),指出了相关投资机会。

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缓存时间: 2026/06/20 16:19

用产业链思维看HBM,我们应该关注什么公司?

逛了一圈推特发现只有喊单跟晒单,根本没有人讲清楚HBM整个产业链。用 @aleabitoreddit 的思想,只有看懂产业链才能知道什么能买、什么不能买?今天来给大家扫扫盲

HBM是什么?

HBM中文名叫高带宽内存,通过硅通孔(TSV)将多层DRAM垂直堆叠,实现极高的内存带宽和低延迟,为NVIDIA等AI GPU提供海量数据吞吐能力,突破传统内存的“内存墙”瓶颈。

HBM的核心技术是什么?

简单来说HBM就是通过堆叠技术将多层的DRAM裸片垂直堆叠起来。其中最重要的工艺就是TSV(硅通孔),这里的TSV打孔不是单纯的通过激光打孔,而是通过刻蚀气体不断的向下腐蚀硅片对裸片进行打孔、注铜;然后将注好铜控顶部覆盖一层锡(微凸点),这时候就能将多个裸芯片堆叠在一起

这个过程中最重要的有四个部分:

  • HBM设计与制造:由SK海力士、美光、三星电子自己制作

  • TSV打孔设备:应用材料 $AMAT 、拉姆研究 $LRCX 垄断

  • 刻蚀/沉积/抛光材料:英特格 $ENTG

  • HBM测试探针卡:FormFactor $FORM (海力士深度合作伙伴)

但是只有堆叠的话除了微突点连接之外都悬空还很脆弱,为了加固和散热目前三大厂商有2种方案:

  • SK海力士是先整体堆叠,然后将整个HBM放入到磨具当中往里灌入液态环氧树脂把缝隙填充,之后加热加压让环氧树脂固化

  • 三星和美光则在两层芯片之间加了一层高分子薄膜,加热加压时微凸点处薄膜融化完成焊接,冷却之后薄膜固化。然后循环往复不断向上叠加

这两种方案来说SK海力士的最好,因为在微凸点焊接的时候没有其他东西干扰,制造速度和良品率都会好很多

散热这方面SK海力士还会在环氧树脂里面掺入了导热性强的颗粒,相当于把环氧树脂做成了类似硅脂的东西。SK海力士的散热效率是三星的两倍,所以为什么海力士的市占率能到50%

所以要是海力士adr的话手头上有mu的直接换成海力士

HBM的集成与封装 —— CoWos

HBM制作好之后就到了与GPU连接这部分工作了,传统的电路板芯片与芯片之间是通过刻蚀在PCB电路板的线路进行连接的。但是HBM跟GPU之间的通信线路非常庞大,普通线路板的电路密度根本做不到那么密。所以台积电 $TSM 就推出了一种2.5D的封装方式,叫做CoWos

原理就是通过光刻机在一块大的硅片上直接刻出HBM跟GPU相互连接的电路(线路间隙可以做到0.8~2μm),然后直接将两种芯片同时焊接在一起,既能满足高带宽又能实现低延迟。英伟达的H100、B200都是这种方式

CoPos又是什么呢?

简单来说就是目前硅晶圆板很贵而且都是圆形,目前主流的芯片都是方形的,这样裁切硅晶圆板很浪费。于是目前就有人提出将芯片排列在方形「面板RDL层」,取代原来圆形的硅中介层,强化不同导电层与材料间的电路互连布局,因导入玻璃或蓝宝石等新材料,方形尺寸可进行多颗芯片封装、整合不同尺寸芯片,同时支持更大光罩、缓解芯片越大越明显的翘曲问题。

但是互连密度目前相对弱一些,面板级工具和良率还在发展,还在试产/导入阶段,不像 CoWoS 那样已经完全成熟量产。

这些先进封装的技术主要看台积电 $TSM 跟 $AMKR ,6月16日这两家还签订了10年的长约,证明这部分产能确实不够

CoWoS 是当前主力(2.5D),CoPoS + 玻璃基板是下一代大尺寸方向, $TSMC 通过 3DFabric 平台把它们灵活组合,全面覆盖从 AI 到移动端的封装需求

目前TSV打孔设备、HBM测试、跟CoWos这个方向还是很有机会的

以上仅个人分析,不作为投资建议 DYOR~

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