使用高NA EUV光刻的量子点量子比特
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imec展示了世界上首个采用高NA EUV光刻制造的量子点量子比特器件,实现了量子比特控制栅极之间的纳米级间隙,为硅基量子计算机的工业规模化铺平了道路。
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# 采用高数值孔径极紫外光刻的量子点量子比特器件 | imec
来源:https://www.imec-int.com/en/press/world-first-imec-presents-quantum-dot-qubit-device-using-high-na-euv-lithography
PR HNA Qubits
新闻发布
## 全球首创:imec展示采用高数值孔径极紫外光刻制造的量子点量子比特器件
对于未来先进存储器和计算机芯片至关重要的最先进光刻系统,将在量子技术规模化中发挥关键作用
**比利时鲁汶,2026年5月19日**——本周,在ITF World(https://www.imecitf.com/world)上,全球领先的先进半导体技术研究与创新中心imec展示了全球首创:一款采用高数值孔径极紫外光刻(https://www.imec-int.com/en/articles/high-na-euv-new-generation-euv-lithography-ready-shape-our-future)制造的量子点量子比特器件。这一成就标志着向更可靠的量子比特(https://www.imec-int.com/en/expertise/cmos-advanced/compute/quantum-computer)——量子计算机的基本计算单元——的工业化规模化迈出了里程碑式的一步。据我们所知,这是首款使用高数值孔径极紫外光刻制造的集成硬件器件。
对于特定的复杂计算问题,例如新药开发或物理过程模拟,量子计算机的性能可能比经典计算机呈指数级提升。然而,要构建一台有用的量子计算机,**我们需将数百万个相互连接的量子比特**(量子计算机的计算单元)规模化,同时保证高可靠性和精确控制。
在目前正在研究的多种量子平台中,**硅量子点自旋量子比特**被认为是实现工业规模化的有前途候选者,常被称为“工业量子比特”。其制造工艺与标准硅芯片(CMOS)的生产高度兼容,而imec过去数十年在这一研究领域已建立起全球权威。
“我们可以**利用数十年的半导体创新成果**,并复用整个硅规模化生态系统,将量子器件从实验室实验推向大规模、可制造的系统。这正是硅基量子比特的明显优势所在。”imec项目负责人兼量子集成工程师**Sofie Beyne**解释道。
硅量子点自旋量子比特**将电子限制在硅纳米结构**(栅极层)中。被捕获电子的“自旋状态”用于存储量子信息。各栅极之间的间隙必须尽可能小,以限制环境噪声。
imec成功制造了一个功能完备的**量子比特网络,栅极间隙仅为6纳米**。得益于这一硬件组件的纳米尺度,理论上可在单芯片上集成数百万个量子比特。
“高数值孔径极紫外光刻能够精确图案化硅量子点量子比特。由于相邻量子点之间的耦合强度随间隙大小呈指数增长,我们需要在量子点的控制电极之间可靠地图案化出几纳米的间隙。这是一项**真正的工程壮举**,得益于我们的集成和图案化团队以及ASML卓越的高数值孔径极紫外光刻技术。”imec院士兼量子计算项目总监**Kristiaan De Greve**表示。
这一演示建立在imec此前在硅量子点自旋量子比特(https://www.imec-int.com/en/articles/si-mos-quantum-dot-spin-qubits-roads-upscaling)方面的成果之上——这些成果已证明CMOS兼容工艺可带来低电荷噪声和稳定的量子比特操作。通过在生产工艺中加入高数值孔径极紫外光刻,重点从实验室中的单个演示器件转向**300mm晶圆厂兼容、可复现的量子比特**。
虽然高数值孔径极紫外光刻显然对于推动先进AI和高性能计算快速发展的亚2纳米逻辑和高密度存储器技术至关重要,但如今它也将对未来量子计算的硬件起到关键作用。
PR HNA Qubits
功能完备的量子比特阵列,在注入栅(P)和势垒栅(B)之间间隙仅为6纳米,由高数值孔径极紫外光刻实现。图片还显示了……
**关于imec**
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